InGaAs fotodioda Proizvajalci

Energija se absorbira v mediju in ustvarja vzbujena stanja v atomih. Inverzija naseljenosti je dosežena, ko število delcev v vzbujenem stanju preseže število delcev v osnovnem ali manj vzbujenem stanju. V tem primeru lahko pride do mehanizma stimulirane emisije in medij lahko uporabimo kot laserski ali optični ojačevalnik.

Pred kratkim je Zhang Weijun, raziskovalec na Inštitutu za optiko in fino mehaniko Anhui, Inštitut za fizikalne znanosti Hefei, Kitajska akademija znanosti, dosegel napredek v tehnologiji zaznavanja atmosferskega dušikovega dioksida (NO2). Nova metoda za hitro in občutljivo detekcijo NO2« je bila objavljena v Ameriškem kemijskem združenju »Analytical Chemistry«.

Od izuma prvega polprevodniškega laserja na svetu leta 1962 je polprevodniški laser doživel ogromne spremembe, ki so močno spodbudile razvoj druge znanosti in tehnologije, in velja za enega največjih človeških izumov v dvajsetem stoletju. V zadnjih desetih letih so se polprevodniški laserji hitreje razvijali in postali najhitreje rastoča laserska tehnologija na svetu. Področje uporabe polprevodniških laserjev pokriva celotno področje optoelektronike in je postalo jedro tehnologije današnje optoelektronske znanosti. Zaradi prednosti majhnosti, preproste strukture, nizke vhodne energije, dolge življenjske dobe, enostavne modulacije in nizke cene se polprevodniški laserji pogosto uporabljajo na področju optoelektronike in so jih države po vsem svetu zelo cenile.