Laserska laserska struktura in delovno načelo modre svetlobe

Glede na material aktivne regije se širina vrzeli v polprevodniškem materialu modrega laserja modre svetlobe spreminja, zato lahko polprevodniški laser oddaja svetlobo različnih barv. Material aktivnega območja polprevodniškega laserja modre svetlobe je gan ali Ingan. Struktura tipičnega laserja na osnovi GAN je prikazana na sliki 1. Od spodaj navzgor v smeri Z, je N-elektroda, GAN substrat, N-tipa A1GAN spodnji omejitve (EBL), P-Type A1GAN ZGODOVINSKI LASTNI LETOR, P-TIP GAN STRAN in P-Elektroda

Indeks refrakcije materiala v več kvantinmu dobro aktivnega območja (MQW) je najvišji, lomni indeks materialov na obeh straneh aktivne regije pa kaže zmanjšanje trenda. S pomočjo porazdelitve indeksa loma materiala v smeri z z visoko na sredini in nizko zgoraj in spodaj, lahko svetlobno polje v smeri z omejimo med zgornjim in spodnjim valovodnim slojem. V smeri Y se del plasti P-tipa na obeh straneh laserja odstrani z jedkanjem in se odloži tanka plast silicijevega dioksida (SiO2), ki sčasoma tvori grebensko strukturo. Indeks loma silicijevega dioksida in zraka je manjši kot pri plasti P-tipa, zato je indeks loma v smeri Y visok na sredini in nizek na obeh straneh, svetlobno polje pa je omejeno na sredino grebena. Zaradi omejevalnega učinka smeri Y in Z na svetlobnem polju svetlobno polje v ravnini YZ predstavlja eliptično porazdelitev. V smeri x lahko sprednje in zadnje votline tvorijo mehansko cepitev ali jedkanje, odbojnost sprednje in zadnje votline pa lahko prilagodimo z izhlapevanjem dielektričnega filma. Običajno je odbojnost površine sprednje votline manjša od površine zadnje votline, da se zagotovi, da se laser oddaja s površine sprednje votline.