915nm 50W diodni laser za tiskanje Proizvajalci

1550nm superluminiscenčne diode SLED so optični viri s precej široko optično pasovno širino. V tem se razlikujejo tako od laserjev, ki imajo zelo ozek spekter, kot od virov bele svetlobe, ki imajo veliko večjo spektralno širino. Ta značilnost se odraža predvsem v nizki časovni koherenci vira (kar je omejena sposobnost oddanega svetlobnega vala, da vzdržuje fazo skozi čas). SLED pa lahko kažejo visoko stopnjo prostorske koherence, kar pomeni, da jih je mogoče učinkovito povezati v enomodna optična vlakna. Nekatere aplikacije izkoriščajo nizko časovno koherentnost virov SLED za doseganje visoke prostorske ločljivosti v tehnikah slikanja. Koherenčna dolžina je količina, ki se pogosto uporablja za karakterizacijo časovne koherence svetlobnega vira. Povezana je z razliko v poti med obema krakoma optičnega interferometra, nad katerim lahko svetlobni val še vedno ustvari interferenčni vzorec.

808nm 10W 2-pinske laserske diode s sklopljenimi vlakni so izdelane z novimi specializiranimi tehnikami sklopitve vlaken. Visoka učinkovitost, stabilnost in vrhunska kakovost žarka. 2-pinski laserji so doseženi s pretvorbo asimetričnega sevanja iz čipa laserske diode v izhodno vlakno z majhnim premerom jedra z uporabo posebnih mikroptikov. Postopki pregledovanja in vžiganja v vseh pogledih vodijo do rezultata z zanesljivostjo, stabilnostjo in dolgo življenjsko dobo.

Vlakno, dopirano z erbijem v pasu C, je zasnovano za enokanalne in večkanalne ojačevalnike s pasom C, svetlobni vir ASE, EDFA za metropolitanska omrežja, EDFA za CATV in EDFA za DWDM. Optično vlakno je mogoče črpati pri 980 nm ali 1480 nm in ima nizko izgubo in dobro konsistenco pri povezovanju s komunikacijskim optičnim vlaknom.

Sledi približno 1570~1603nm L-pasovni EDFA ojačevalnik, upam, da vam bom pomagal bolje razumeti 1570~1603nm L-pasovni ojačevalnik EDFA. Pozdravite nove in stare stranke, da še naprej sodelujete z nami, da skupaj ustvarimo boljšo prihodnost!

200um InGaAs lavinske fotodiode APDs je največji komercialno dostopen InGaAs APD z visoko odzivnostjo in izjemno hitrim časom vzpona in padca v celotnem območju valovnih dolžin od 1100 do 1650 nm, najvišja odzivnost pri 1550 nm je idealno primerna za komunikacijo z očmi, varno komunikacijo v prostem prostoru. OTDR in optična koherenčna tomografija. Čip je hermetično zaprt v spremenjenem paketu TO, na voljo je tudi možnost s pigtailom.

High Power 940nm 20W CW laserski diodni čip, izhodna moč 20W, dolga življenjska doba, visoka učinkovitost, široko uporabljen v industrijskih črpalkah, laserski osvetlitvi, raziskavah in razvoju ter na drugih področjih.